트랩층1 반도체 기술 변화 짚어보기 - 3) NAND, 200 단을 넘는 양산 제품 NAND 구조: 실리콘 기판, 터널링 산화막, 트랩층, 블로킹 산화막, 컨트롤게이트 NAND 는 실리콘 기판, 터널링 산화막, 트랩층(혹은 플로팅게이트), 블로킹 산화막, 컨트롤 게이트로 구성되어 있다. 터널링 산화막은 실리콘 기판과 트랩층 사이에 있는 매우 얇은 산화막으로 게이트에 전압이 걸리면 실리콘 기판에 있는 전하가 뚫고 트랩층으로 들어갈 수 있다. 트랩층은 전하를 저장할 수 있는 레이어이며 6 면이 절연막으로 둘러 쌓인 구조다. 트랩층은 과거 플로팅게이트라고 불리는 도체(주로 폴리실리콘)를 사용했지만 2006 년부터는 집적화에 유리하고 전자 누설 위험이 낮은 부도체(주로 SiN)를 사용하기 시작했다. 블로킹 산화막은 트랩층에 갇힌 전하가 컨트롤 게이트로 들어오지 못 하게 막아주는 유전막(절.. 2024. 9. 16. 이전 1 다음
