하이브리드본딩2 HBM 성능 향상을 위한 다음 단계: 하이브리드 본딩 1. 하이브리드 본딩(Hybrid Bonding) 기술 개요 하이브리드본딩은 두 가지 유형의 계면 사이에 본딩이 동시에 형성되는 것을 말한다. 하나는 산화물의 면과 면 사이의 본딩이고, 다른 하나는 구리와 구리 사이의 본딩이다. 반도체 공정 기술에서 본딩이라는 말은 주로 패키징 단계에서 wafer die를 패키지와 연결하기 위한 과정을 의미하는 것으로, 처음에는 와이어 본딩에서 시작하여 플립칩 본딩, TSV 본딩을 거쳐 하이브리드 본딩에 이르는 기술 개발 과정이 진행되었다. 최근 하이브리드 본딩은 HBM과 칩렛 공정이 중요해지면서 주목을 받게 되었는데, HBM의 경우 메모리 wafer die를 여러 측으로 적층해야 하기 때문에, 인접한 wafer die간 연결이 필요한데, 이를 연결하기 위해 기존에는.. 2024. 9. 20. 반도체 기술 탐구: SK Hynix의 HBM 패키징 기술, TSV와 MR-MUF 1. TSV HBM 기사가 나오면 단골손님처럼 등장하는 기술 용어가 'TSV'이다. TSV는 'Through Silicon Via'의 줄임말로 실리콘(반도체 wafer)를 관통하는 만드는 배선, 즉 '실리콘관통전극'이다. 반도체의 집적도를 높이기 위해 HBM은 여러장의 wafer에 반도체를 만들고 이를 적층하는 기술이다. 이렇게 적층된 반도체를 연결하기 위해 기판 역할을 하는 실리콘 wafer 자체를 관통해서 구멍을 뚫고 이 속에 구리(Cu)처럼 전기 신호를 잘 전달할 수 있는 금속 물질을 채우는 기술이다. SK Hynix는 2013년 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 구조를 적용한 HBM을 세계 최초로 개발 및 양산하는 데 성공했으며, 이후 고용량(High Density) 제.. 2023. 7. 19. 이전 1 다음
