CMP2 반도체 기술 - HBM 공정 순서 1. TSV 중심 전반 요약 2. 세부 공정 별 순서 1) Silicon Etch: 실리콘을 식각하여 깊은 트렌치(trench, 구멍)를 형성하는 공정 FEOL 공정 이후 웨이퍼를 식각하여 트렌치를 만드는 공정이다. 식각 공정에 사 용되는 PR(감광액, Photoresist)만으로 하부층을 식각하기 어렵다. 트렌치의 깊이 가 깊기 때문에 높은 선택비가 생산성 향상에 기여하기 때문이다. 이에 TSV는 트렌치를 형성할 때 HM(하드마스크, Hardmask)을 활용하여 식각을 진행한다. 2) TSV Cu Fill: 트렌치에 전도성 재료인 구리(Cu)를 채우는 공정 트렌치에 전도성이 있는 Cu(구리)를 채우는 공정이다. Cu는 실리콘(웨이퍼)에 치 명적인 오염을 야기할 수 있는 물질이다. 이를 방지하기 위해 C.. 2023. 11. 7. 반도체 소재 기업 탐구: 솔브레인 update 1. 기업현황 업데이트 종합 IT 소재 업체로 국산화 수혜를 가장 많이 받는 업체 솔브레인은 종합 IT 소재 업체다. 반도체, 디스플레이 공정 소재와 디스플레이, 2 차전지 소재를 각각 공급한다. 2020년 기준 매출 비중은 반도체 72%, 디스플레 이 15%, 2차전지 10%다. 반도체 습식 식각액이 주력 사업이다. 동사는 2020년 7월 솔브레인홀딩스로부터 분할됐다. 기존 솔브레인홀딩스의 17 개 자회사 중에서 주력 반도체 자회사 3개만 떼어내서 신설 솔브레인이 인식한다. 솔브레인시안, 솔브레인라사는 연결 자회사로 인식하고 훽트는 지분법으로 연결재무재표에 반영된다. 시안과 라사는 인산계 식각액, 훽트는 불산계 식각액을 주 사업으로 영위하고 있다. 2. 주요 사업 update 2.1. 반도체 소재 (1.. 2021. 6. 5. 이전 1 다음
