DIBL1 반도체 기술 변화 짚어보기 - 1) 미세공정이 가져오는 트랜지스터 구조의 변화 DRAM, NAND, 비메모리 반도체 모두 트랜지스터라는 구조를 모두 포함하고 있다. 이러한 구조를 기반으로 구성되어 있기 때문에 반도체 소자의 성능은 트랜지스터와 직결된다. 트랜지스터는 입력과 출력 사이에 시간 차가 발생하며 이를 게이트 딜레이라고 부른다. 게이트 딜레이는 회로의 속도가 낮아지는 주요 원인이며 전류의 양과 반비례한다. 이에 따라 트랜지스터의 발전은 전류의 양을 늘리는 것이 주축이 되어 왔다. 포화 전류(Saturation current) 방정식을 보면 전류의 양은 게이트의 폭(W), 전하 운반체의 이동성(μ), 유전막의 capacitance(C)에 비례하며 채널 길이(L)에 반비례한다. 또한 유전막의 capacitance 는 유전막의 유전율(ε), 면적(A)과 비례하며 유전막의 두께.. 2024. 9. 15. 이전 1 다음
