GaAs1 반도체 기술 탐구: 화합물 반도체 개요(feat. SiC, GaN) 1. 반도체의 탄생 오늘날 반도체를 비롯한 전기로 동작하는 소자(Device)의 시작은 진공관이었다. 진공관은 1884년 에디슨이 전구 실험 과정에서 ‘열전자 방출효과(에디슨 효과)’를 확인후 유리 진공관이 처음 개발되어 사용되었다. 그 이후 보다 많은 신호 처리를 할 수 있는 진공관을 대체할 수 있는 트랜지스터 개발을 위한 노력이 지속되던 중 1947년 벨 연구소의 바딘, 브래튼, 쇼클리에 의해 게르마늄 반도체 트랜지스터가 개발되었다. 이 성과로 이들은 1956년에 노벨상을 수상하였다. 이 게르마늄 반도체 트랜지스터는 진공관을 대체해 소형 라디오를 만들 수 있게 하고 전자산업을 혁명적으로 발전시켰으며, 컴퓨터, 정보통신 시대를 현실화 시켰다. 현대에는 전기를 사용하는 모든 장치의 알파에서 오메가까지 반.. 2022. 7. 17. 이전 1 다음
