bipolar1 반도체 기술 탐구: 전력반도체 개요(계속) - 기술 개발 동향 2. 기술 개발 동향 2.1 전력소자(Power Device) 전력망 및 에너지 변환 시스템의 핵심 부품인 IGBT와 MOSFET은 다양한 영역에 걸쳐 적용되고 있다. 고효율 시스템에 대한 요구가 증대함에 따라 전 력에너지 변환시스템에 활용되는 IGBT 기술은 지속적으로 발전하고 있다. IGBT 수직 구조의 발달과 더불어, planar gate 형태의 전면 transistor cell 형태에서 미세 공정을 접목하여 집적도를 더욱 향상시킨 trench gate cell 구조를 적용한 IGBT 기술이 대세이다. IGBT 기술은 미세 패턴을 활용한 고집적도 trench gate cell 적용 및 초막박 웨이퍼 가공 기술과 FS-layer 형성 방법의 혁신을 통한 anode 구조의 최적화를 이루는 방향으로 발전.. 2022. 12. 18. 이전 1 다음
