gaafet3 반도체 기술 변화 짚어보기 - 4) 증착 공정의 변화: Epitaxy, High-K HKMG 와 GAAFET 상용화가 본격화됨에 따라 High-k, Si/SiGe 증착 장비와 전구체의 수요가 증가할 것으로 전망된다. HKMG 에서 High-k 유전막은 CVD 를 통해 형성되고 GAAFET 에서 Si/SiGe 층은 epitaxy 를 통해 성장된다. 당사는 High-k 와 Si/SiGe 소재에 대해 이해하기 위해 증착 방법 분류와 전구체에 대해 설명하고 어떤 국내 업체들이 수혜를 받을 수 있는지 알아보자. (1) 증착 장비 시장 트랜드: 상위 3 개 업체 점유율 73.2% 증착 공정은 반도체 전공정에서 가장 큰 비중을 차지하는 공정 중 하나이며 장비 시장에서 가장 큰 규모를 가지고 있다. 증착 장비 시장은 2021 년 Applied Materials, Lam Research, TEL.. 2024. 9. 16. 반도체 기술 변화 짚어보기 - 2) GAAFET 채용의 본격화 현재 반도체 소자에 쓰이는 구조는 대부분 MOSFET GAAFET 을 언급하기 앞서 트랜지스터 종류에 대해 먼저 설명하고자 한다. 트랜지스터 종류는 크게 BJT(Bipolar Junction Transitot, 접합형 트랜지스터)와 FET(Field Effect Transitor)로 나뉜다. FET 은 BJT 에 비해 전력 소모량도 적고 면적도 작아 고집적 디지털 및 아날로그 IC 에 적합하다. 현재 반도체 소자에 주로 쓰이는 FET 은 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET)으로 메탈, 산화막, 반도체가 차례대로 중첩된 FET 이다. 앞에서 설명했던 HKMG 구조가 바로 MOSFET 이다. 또한 MOSFET 은 채널의 구조에 따라 Planar FET(평면형), FinFET(.. 2024. 9. 15. 반도체 기술 변화 짚어보기 - 1) 미세공정이 가져오는 트랜지스터 구조의 변화 DRAM, NAND, 비메모리 반도체 모두 트랜지스터라는 구조를 모두 포함하고 있다. 이러한 구조를 기반으로 구성되어 있기 때문에 반도체 소자의 성능은 트랜지스터와 직결된다. 트랜지스터는 입력과 출력 사이에 시간 차가 발생하며 이를 게이트 딜레이라고 부른다. 게이트 딜레이는 회로의 속도가 낮아지는 주요 원인이며 전류의 양과 반비례한다. 이에 따라 트랜지스터의 발전은 전류의 양을 늘리는 것이 주축이 되어 왔다. 포화 전류(Saturation current) 방정식을 보면 전류의 양은 게이트의 폭(W), 전하 운반체의 이동성(μ), 유전막의 capacitance(C)에 비례하며 채널 길이(L)에 반비례한다. 또한 유전막의 capacitance 는 유전막의 유전율(ε), 면적(A)과 비례하며 유전막의 두께.. 2024. 9. 15. 이전 1 다음
