더블스태킹2 반도체 기술 변화 짚어보기 - 3) NAND, 200 단을 넘는 양산 제품 NAND 구조: 실리콘 기판, 터널링 산화막, 트랩층, 블로킹 산화막, 컨트롤게이트 NAND 는 실리콘 기판, 터널링 산화막, 트랩층(혹은 플로팅게이트), 블로킹 산화막, 컨트롤 게이트로 구성되어 있다. 터널링 산화막은 실리콘 기판과 트랩층 사이에 있는 매우 얇은 산화막으로 게이트에 전압이 걸리면 실리콘 기판에 있는 전하가 뚫고 트랩층으로 들어갈 수 있다. 트랩층은 전하를 저장할 수 있는 레이어이며 6 면이 절연막으로 둘러 쌓인 구조다. 트랩층은 과거 플로팅게이트라고 불리는 도체(주로 폴리실리콘)를 사용했지만 2006 년부터는 집적화에 유리하고 전자 누설 위험이 낮은 부도체(주로 SiN)를 사용하기 시작했다. 블로킹 산화막은 트랩층에 갇힌 전하가 컨트롤 게이트로 들어오지 못 하게 막아주는 유전막(절.. 2024. 9. 16. 반도체 기술 탐구: NAND의 기술 변화 NAND 기술의 변화: 삼성전자의 Double Stack의 적용 NAND 업체들이 양산에 적용하고 있는 적층 단수가 거의 동일한 수준임에도 업 체별 수익성 차이가 크다. 수율이 유사하다는 가정 하에 Step 수가 큰 차이를 보이기 때문이다. 그리고 Step 수는 Single Stack이냐 Double Stack이냐에 따른 Tiers에 좌우된다. 향후 3D NAND의 적층 단수 증가에 따른 종횡비 상승 문제 \로 Tiers가 크게 증가할 전망이다. 이 과정에서 Big Cycle 재현을 전망한다. 1. 삼성전자 3D NAND의 독보적인 이익률 이유는 Single Stack 2018-19 Down Cycle에서 삼성전자와 후발업체간 NAND 영업이익률 격차가 확대되었다. 업체간 공정기술 격차 때문이다. NAN.. 2020. 9. 6. 이전 1 다음
