HBM2E1 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM 접근 방법 1. SK하이닉스의 HBM은 MR-MUF로 HBM은 2013년 12월 SK하이닉스가 세계 최초로 개발한 이후 HBM2→HBM2e→HBM3→HBM3e로 개발되어 왔다. HBM을 적층하는데 있어 SK하이닉스는 HBM2까지는 NCF(Non Conducted Film)를 사용하는 열 압착 방식의 TC-NCF 방식을 사용해왔다. HBM2e부터는 MR-MUF 공정으로 대체하게 되었고 HBM3, HBM3e까지 이어지고 있다. 에스티아이는 MR-MUF공정에 사용되는 Reflow 장비를 HBM3부터 공급하고 있다. MR(Mass Reflow)은 기존에 플립칩(Flip Chip)에서 서브스트레이트와 패키지의 솔더볼을 접착해주는 공정에 사용되었다. 플럭스(Flux)를 서브스트레이트의 패드에 올리고 Reflow 공정으로 솔더.. 2023. 11. 13. 이전 1 다음
