Hybrid bonding2 HBM 성능 향상을 위한 다음 단계: 하이브리드 본딩 1. 하이브리드 본딩(Hybrid Bonding) 기술 개요 하이브리드본딩은 두 가지 유형의 계면 사이에 본딩이 동시에 형성되는 것을 말한다. 하나는 산화물의 면과 면 사이의 본딩이고, 다른 하나는 구리와 구리 사이의 본딩이다. 반도체 공정 기술에서 본딩이라는 말은 주로 패키징 단계에서 wafer die를 패키지와 연결하기 위한 과정을 의미하는 것으로, 처음에는 와이어 본딩에서 시작하여 플립칩 본딩, TSV 본딩을 거쳐 하이브리드 본딩에 이르는 기술 개발 과정이 진행되었다. 최근 하이브리드 본딩은 HBM과 칩렛 공정이 중요해지면서 주목을 받게 되었는데, HBM의 경우 메모리 wafer die를 여러 측으로 적층해야 하기 때문에, 인접한 wafer die간 연결이 필요한데, 이를 연결하기 위해 기존에는.. 2024. 9. 20. 반도체 기술 탐구: 반도체 패키지 공정 개요 1. 패키지 공정의 필요성 전공정에서 제작된 웨이퍼를 전자기기에 탑재 가능한 형태로 만드는 공정을 의 미한다. 반도체 칩 자체로는 어떤 역할도 할 수가 없다. 반도체가 제기능을 하기 위해서는 패키지 공정을 거쳐야만 ‘1) 전기적 연결, 2) 열 방출, 3) 물리적 보호’ 기능을 수행할 수 있다. 1) 전기적 연결: 반도체 칩이 정상적으로 작동하려면 결국 반도체 칩과 메인보드가 연결되어 전기적인 신호를 정확하게 입∙출력해야 한다. 하지만 칩(나노 단위) 과 메인보드(마이크로 단위)의 회로 폭 차이가 있다. 이런 회로 폭 차이를 완충 시키기 위해 패키지 기판을 매개체로 사용하여 칩과 메인보드 연결한다. 이를 위해 반도체 칩을 패키지 기판에 접착(다이본딩, Die Bonding)시킨다. 이후 금속선 연결(전기.. 2023. 5. 6. 이전 1 다음
