Underfill2 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM 공정 기술 차이에 따른 underfill 소재: TC-NCF vs. MR-MUF 1. 삼성전자: TC-NCF 삼성전자가 HBM 제조 시 사용하는 공정은 TC-NCF(열압착 비전도성 접착 필름) 공정으로, DRAM의 wafer die간 접착을 고체형 접착제인 필름 형태의 underfill 소재를 사용한다.필름 형태의 underfill 소재를 주요 공급하는 곳은 레조낙이라는 일본 회사로 예전에는 쇼와덴코는 이름을 가진 회사였다. 쇼와덴코는 일본의 정밀 화학 제품을 만드는 전통있고 오래된 회사로, 필름 형태의 소재, 점/접착 소재의 기술로 유명한 회사이다. 이 레조낙이 만든 NCF라는 필름 소재가 사용되는데, NCF는 Non-conductive Film의 약자로 비전도성 필름이라는 뜻이다. NCF는 원래 반도체 패키징 공정에서 사용되는 제품은 아니었고, 얇은 평판 디스플레이나 워크맨같.. 2024. 9. 21. 반도체 기술 - HBM 공정 순서 1. TSV 중심 전반 요약 2. 세부 공정 별 순서 1) Silicon Etch: 실리콘을 식각하여 깊은 트렌치(trench, 구멍)를 형성하는 공정 FEOL 공정 이후 웨이퍼를 식각하여 트렌치를 만드는 공정이다. 식각 공정에 사 용되는 PR(감광액, Photoresist)만으로 하부층을 식각하기 어렵다. 트렌치의 깊이 가 깊기 때문에 높은 선택비가 생산성 향상에 기여하기 때문이다. 이에 TSV는 트렌치를 형성할 때 HM(하드마스크, Hardmask)을 활용하여 식각을 진행한다. 2) TSV Cu Fill: 트렌치에 전도성 재료인 구리(Cu)를 채우는 공정 트렌치에 전도성이 있는 Cu(구리)를 채우는 공정이다. Cu는 실리콘(웨이퍼)에 치 명적인 오염을 야기할 수 있는 물질이다. 이를 방지하기 위해 C.. 2023. 11. 7. 이전 1 다음
