TC-NCF3 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM 공정 기술 차이에 따른 underfill 소재: TC-NCF vs. MR-MUF 1. 삼성전자: TC-NCF 삼성전자가 HBM 제조 시 사용하는 공정은 TC-NCF(열압착 비전도성 접착 필름) 공정으로, DRAM의 wafer die간 접착을 고체형 접착제인 필름 형태의 underfill 소재를 사용한다.필름 형태의 underfill 소재를 주요 공급하는 곳은 레조낙이라는 일본 회사로 예전에는 쇼와덴코는 이름을 가진 회사였다. 쇼와덴코는 일본의 정밀 화학 제품을 만드는 전통있고 오래된 회사로, 필름 형태의 소재, 점/접착 소재의 기술로 유명한 회사이다. 이 레조낙이 만든 NCF라는 필름 소재가 사용되는데, NCF는 Non-conductive Film의 약자로 비전도성 필름이라는 뜻이다. NCF는 원래 반도체 패키징 공정에서 사용되는 제품은 아니었고, 얇은 평판 디스플레이나 워크맨같.. 2024. 9. 21. 삼성전자의 HBM 관련 현재 상황 및 이슈 정리 현재까지 정보를 종합해 볼때 삼성전자의 HBM 엔비디아 공급 상황은 다음과 같이 정리할 수 있다.1. HBM3 공급 상황: 삼성전자는 엔비디아에 HBM3까지는 공급하고 있는 것으로 보인다. 로이터 통신에 따르면, 삼성전자가 엔비디아에 HBM3를 납품하기 위한 퀄 테스트를 처음으로 통과했고, 이 HBM3는 엔비디아의 중국 시장용 저사양 칩인 H20 GPU에 사용될 예정이라고 한다. 지난 9월 3일 대만 시장조사기관 트렌드포스는 "삼성이 (SK하이닉스, 미국 마이크론에 비해) 다소 늦게 뛰어들었지만, 최근 HBM3E 인증을 완료하고 H200용 HBM3E 8단 제품의 출하를 시작했다"며 "블랙웰 시리즈에 대한 인증도 순조롭게 진행 중"이라고 밝혔다. 그러나, 이것은 양산제품은 아니고 테스트를 위한 제품 출하.. 2024. 9. 13. 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM 접근 방법 1. SK하이닉스의 HBM은 MR-MUF로 HBM은 2013년 12월 SK하이닉스가 세계 최초로 개발한 이후 HBM2→HBM2e→HBM3→HBM3e로 개발되어 왔다. HBM을 적층하는데 있어 SK하이닉스는 HBM2까지는 NCF(Non Conducted Film)를 사용하는 열 압착 방식의 TC-NCF 방식을 사용해왔다. HBM2e부터는 MR-MUF 공정으로 대체하게 되었고 HBM3, HBM3e까지 이어지고 있다. 에스티아이는 MR-MUF공정에 사용되는 Reflow 장비를 HBM3부터 공급하고 있다. MR(Mass Reflow)은 기존에 플립칩(Flip Chip)에서 서브스트레이트와 패키지의 솔더볼을 접착해주는 공정에 사용되었다. 플럭스(Flux)를 서브스트레이트의 패드에 올리고 Reflow 공정으로 솔더.. 2023. 11. 13. 이전 1 다음
