HBM31 반도체 - CXL이 뭐길래? 하반기에 가시화 기대 대용량 메모리 시대, 효율성 제고를 위한 상호연결기술의 진화 반도체 산업의 최대 화두로 인공지능(AI)이 부각되면서 요구 컴퓨팅 파워가 기하 급수적으로 증가하고 있다. 데이터 밀도가 높아짐에 따라 인프라의 대형화가 지속되면서 컴퓨팅 시스템 구축 환경의 공간 활용, 전력 효율 개선, 데이터 병목현 상 해결을 위한 다양한 연구가 진행 중이며, 상호연결기술(Interconnect)이 대용량 메모리 활용 효율을 높이는 핵심 기술로 지목되고 있다. 과거 상호연결기술의 개발 방향성은 최대한 많은 양의 데이터를 빠른 속도로 전송하는 것에 집중됐다. 이러한 흐름이 메모리 대역폭(Bandwidth) 확장을 가속화 시켰으며, HBM과 같은 차세대 기술의 개발로 이어져 과중한 워크로드 부담이 지속적으로 개선됐다. 다만 호스.. 2024. 1. 25. 2024 글로벌 AI 반도체 시장 전망 AI 반도체 수요 ↑ 글로벌 생성형 AI 시장은 2023년 108억달러에서 2032년 1,180억달러로 10배 이상 성장할 전망이다. 생성형 AI는 기본 입력 패턴을 학습하여 유사한 출력을 생성하는 알고리즘에 의해 구동된다. 2024년부터 다양한 추론 AI 어플리케이션의 등장에 따라 트래픽 증가 및 Edge AI 수요 확대로 인한 서버 시장의 성장이 나타날 것으로 기대한다. 초기 시장은 훈련용 서버 구축 수요가 절대적으로 높을 수밖에 없으며, 실제로 2023년 서버 출하는 AI 서버 중심으로 이뤄졌다. 2024년 에도 AI 서버 중심으로 AI 반도체 시장이 확대될 것으로 기대된다. AI 반도체 수요가 높은 상황에서 H100을 탑재한 서버의 비용이 가중되며 이전 모델인 A100 수요도 동반 상승하고 있다... 2023. 12. 30. 반도체 장비 기업: 에스티아이 - 23 4Q update 반도체 인프라 장비에서 HBM향 후공정 장비로 확대 반도체 및 디스플레이 장비를 전문적으로 생산하는 업체다. 반도체 인프라 장비는 CCSS 장비가 주력 매출이며 일부 디스플레이 장비(Wet System, Ink-Jet Printing System 등)를 생산하고 있다. 최근 반도체 후공정 장비인 Reflow 장비를 새롭게 공급하기 시작했다. 2022년 기준 장비별 매출액 비중은 CCSS 87.2%, Wet System(Reflow 포함) 10.3%다. 반도체 부문의 경우 주요 고객사는 삼성전자, SK하이닉스, EXYTE(Intel, Micron)이다. 디스플레이 부문의 경우 삼성디스플 레이, BOE, CSOT 등으로 공급 중에 있다. 2024년 영업이익 542억원(+209% YoY) 전망 2024년 실적.. 2023. 12. 29. 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM 접근 방법 1. SK하이닉스의 HBM은 MR-MUF로 HBM은 2013년 12월 SK하이닉스가 세계 최초로 개발한 이후 HBM2→HBM2e→HBM3→HBM3e로 개발되어 왔다. HBM을 적층하는데 있어 SK하이닉스는 HBM2까지는 NCF(Non Conducted Film)를 사용하는 열 압착 방식의 TC-NCF 방식을 사용해왔다. HBM2e부터는 MR-MUF 공정으로 대체하게 되었고 HBM3, HBM3e까지 이어지고 있다. 에스티아이는 MR-MUF공정에 사용되는 Reflow 장비를 HBM3부터 공급하고 있다. MR(Mass Reflow)은 기존에 플립칩(Flip Chip)에서 서브스트레이트와 패키지의 솔더볼을 접착해주는 공정에 사용되었다. 플럭스(Flux)를 서브스트레이트의 패드에 올리고 Reflow 공정으로 솔더.. 2023. 11. 13. 반도체 기업 탐구: 에스티아이 1. 기업 개요 에스티아이는 1997년 7월 코스닥상장사 ㈜성도이엔지의 장비 사업부가 분사하여 설립되었다. 반도체와 디스플레이 제조용 장비를 제작할 목적으로 설립되었으며, 설립 초기 CCSS(Central Chemical Supply System, 중앙약품공 급시스템), Wet Station 장비, 웨이퍼 가공설비, 카세트 세정기 등을 개발했다. 1999년에는 TFT-LCD용 자동 유리 식각장비(Glass Etching System)와 반도체 CMP용 Slurry 공급장치를 개발했다. 2001년 일본 Sony와 Glass Etching System 수출 계약을 체결하였고, 2002년 코스닥시장에 상장되었다. 2009년 Bar LCD 사업을 개시했다. 2012년에는 삼성코닝정밀소재와 태양광 제조 관련 장비.. 2023. 11. 12. 반도체 기술 - HBM 공정 순서 1. TSV 중심 전반 요약 2. 세부 공정 별 순서 1) Silicon Etch: 실리콘을 식각하여 깊은 트렌치(trench, 구멍)를 형성하는 공정 FEOL 공정 이후 웨이퍼를 식각하여 트렌치를 만드는 공정이다. 식각 공정에 사 용되는 PR(감광액, Photoresist)만으로 하부층을 식각하기 어렵다. 트렌치의 깊이 가 깊기 때문에 높은 선택비가 생산성 향상에 기여하기 때문이다. 이에 TSV는 트렌치를 형성할 때 HM(하드마스크, Hardmask)을 활용하여 식각을 진행한다. 2) TSV Cu Fill: 트렌치에 전도성 재료인 구리(Cu)를 채우는 공정 트렌치에 전도성이 있는 Cu(구리)를 채우는 공정이다. Cu는 실리콘(웨이퍼)에 치 명적인 오염을 야기할 수 있는 물질이다. 이를 방지하기 위해 C.. 2023. 11. 7. 이전 1 2 3 4 5 6 다음
