Bump2 반도체 기술 - HBM 공정 순서 1. TSV 중심 전반 요약 2. 세부 공정 별 순서 1) Silicon Etch: 실리콘을 식각하여 깊은 트렌치(trench, 구멍)를 형성하는 공정 FEOL 공정 이후 웨이퍼를 식각하여 트렌치를 만드는 공정이다. 식각 공정에 사 용되는 PR(감광액, Photoresist)만으로 하부층을 식각하기 어렵다. 트렌치의 깊이 가 깊기 때문에 높은 선택비가 생산성 향상에 기여하기 때문이다. 이에 TSV는 트렌치를 형성할 때 HM(하드마스크, Hardmask)을 활용하여 식각을 진행한다. 2) TSV Cu Fill: 트렌치에 전도성 재료인 구리(Cu)를 채우는 공정 트렌치에 전도성이 있는 Cu(구리)를 채우는 공정이다. Cu는 실리콘(웨이퍼)에 치 명적인 오염을 야기할 수 있는 물질이다. 이를 방지하기 위해 C.. 2023. 11. 7. 반도체 기술 탐구: OSAT과 패키징 - 2 4. 반도체 패키징 소재 및 공정의 개요 4.1. 반도체 패키징의 필요성 실리콘 웨이퍼에 가공된 칩은 그 자체로 반도체로 기능할 수 없다. 반도시 패키징을 통해 칩에 있는 전기적 신호를 전자제품의 보드에 물리적으로 연결해 전기적 신호가 전달될 수 있도록 만들어줘야 한다. 반도체 패키징의 기본적인 목적은 1) IC칩과 이것이 장착되는 전자제품 보드까지의 전기적 신호의 연결, 2) 깨지지 쉬운 실리콘 IC칩 보호, 3) 장시간 다양한 환경에서 사용될 수 있도록 신뢰성의 확보이다. 4.2. 반도체 패키의 주요 소재 반도체 패키지 주요 소재는 실리콘 칩, 기판, 금속선(리드프레임), 범프(솔더볼), 몰딩 컴파운드, 접착제 등이다. 1) 기판(Substrate): 반도체 칩이 실장되고, 칩과 PCB간 전기적 신호.. 2021. 3. 12. 이전 1 다음
