MR-MUF3 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM 접근 방법 1. SK하이닉스의 HBM은 MR-MUF로 HBM은 2013년 12월 SK하이닉스가 세계 최초로 개발한 이후 HBM2→HBM2e→HBM3→HBM3e로 개발되어 왔다. HBM을 적층하는데 있어 SK하이닉스는 HBM2까지는 NCF(Non Conducted Film)를 사용하는 열 압착 방식의 TC-NCF 방식을 사용해왔다. HBM2e부터는 MR-MUF 공정으로 대체하게 되었고 HBM3, HBM3e까지 이어지고 있다. 에스티아이는 MR-MUF공정에 사용되는 Reflow 장비를 HBM3부터 공급하고 있다. MR(Mass Reflow)은 기존에 플립칩(Flip Chip)에서 서브스트레이트와 패키지의 솔더볼을 접착해주는 공정에 사용되었다. 플럭스(Flux)를 서브스트레이트의 패드에 올리고 Reflow 공정으로 솔더.. 2023. 11. 13. 반도체 기술 - HBM 공정 순서 1. TSV 중심 전반 요약 2. 세부 공정 별 순서 1) Silicon Etch: 실리콘을 식각하여 깊은 트렌치(trench, 구멍)를 형성하는 공정 FEOL 공정 이후 웨이퍼를 식각하여 트렌치를 만드는 공정이다. 식각 공정에 사 용되는 PR(감광액, Photoresist)만으로 하부층을 식각하기 어렵다. 트렌치의 깊이 가 깊기 때문에 높은 선택비가 생산성 향상에 기여하기 때문이다. 이에 TSV는 트렌치를 형성할 때 HM(하드마스크, Hardmask)을 활용하여 식각을 진행한다. 2) TSV Cu Fill: 트렌치에 전도성 재료인 구리(Cu)를 채우는 공정 트렌치에 전도성이 있는 Cu(구리)를 채우는 공정이다. Cu는 실리콘(웨이퍼)에 치 명적인 오염을 야기할 수 있는 물질이다. 이를 방지하기 위해 C.. 2023. 11. 7. 반도체 기술 탐구: SK Hynix의 HBM 패키징 기술, TSV와 MR-MUF 1. TSV HBM 기사가 나오면 단골손님처럼 등장하는 기술 용어가 'TSV'이다. TSV는 'Through Silicon Via'의 줄임말로 실리콘(반도체 wafer)를 관통하는 만드는 배선, 즉 '실리콘관통전극'이다. 반도체의 집적도를 높이기 위해 HBM은 여러장의 wafer에 반도체를 만들고 이를 적층하는 기술이다. 이렇게 적층된 반도체를 연결하기 위해 기판 역할을 하는 실리콘 wafer 자체를 관통해서 구멍을 뚫고 이 속에 구리(Cu)처럼 전기 신호를 잘 전달할 수 있는 금속 물질을 채우는 기술이다. SK Hynix는 2013년 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 구조를 적용한 HBM을 세계 최초로 개발 및 양산하는 데 성공했으며, 이후 고용량(High Density) 제.. 2023. 7. 19. 이전 1 다음
