MOSFET9 반도체 기술 탐구: 전력반도체 개요(계속) - 기술 개발 동향 2. 기술 개발 동향 2.1 전력소자(Power Device) 전력망 및 에너지 변환 시스템의 핵심 부품인 IGBT와 MOSFET은 다양한 영역에 걸쳐 적용되고 있다. 고효율 시스템에 대한 요구가 증대함에 따라 전 력에너지 변환시스템에 활용되는 IGBT 기술은 지속적으로 발전하고 있다. IGBT 수직 구조의 발달과 더불어, planar gate 형태의 전면 transistor cell 형태에서 미세 공정을 접목하여 집적도를 더욱 향상시킨 trench gate cell 구조를 적용한 IGBT 기술이 대세이다. IGBT 기술은 미세 패턴을 활용한 고집적도 trench gate cell 적용 및 초막박 웨이퍼 가공 기술과 FS-layer 형성 방법의 혁신을 통한 anode 구조의 최적화를 이루는 방향으로 발전.. 2022. 12. 18. 반도체 기술 탐구: 전력 반도체 패키지 소재 1. 파워모듈 패키지 재료 파워모듈에 사용되는 반도체 소자(Device)로는 - IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), - MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), - GTO (Gate Turn-Off thyristor), - Thyristor 등이 있다. 일반 산업용과 자동차 분야에서는 구동전력이 작고, 고속 스위칭, 고내압화 및 고전 류 밀도화가 가능한 IGBT 소자가 많이 사용되고 있다. 파워모듈은 1) 파워 디바이스(Power Device), DBC (Direct Bond Copper) 및 DBA (Direct Bond Aluminum) 등의 기판 (Substrate), 2) Interconnec.. 2022. 10. 20. 반도체 기술 탐구: 전력반도체 개요 1. 전력반도체 개요 1.1. 정의 전력반도체는 전력을 사용하는 모든 기기에서 전원 또는 배터리로부터 공급되는 전력을 자동차, 조명, 노트북, 스마트폰 등 다양한 시스템이 필요로 하는 전압과 전류 수준으로 변환하고 시스템 전체의 전력을 관리하는 역할을 수행한다. 좀더 자세하게 말하면, 전력반도체는 PCB와 전자부품들로 구성된 전자회로 내에서 1) 전력변환, 2) 변압, 3) 전력안정, 4) 전력 분배 및 전력제어 등을 수행하는 데 사용되는 반도체 및 부품으로 정의할 수 있다. 전력반도체는 일반적으로 ‘반도체’라고 부르는 메모리 반도체와 차이가 있으며, 전력반도체는 이 반도체가 감당하는 전압이 높고 전류용량이 크다. 전압의 경우 600~ 10000V이고 전류는 수A~수백A 수준이다. 최근 전력반도체가 주목.. 2022. 10. 18. 반도체 기술 탐구: 화합물 반도체 개요(feat. SiC, GaN) 1. 반도체의 탄생 오늘날 반도체를 비롯한 전기로 동작하는 소자(Device)의 시작은 진공관이었다. 진공관은 1884년 에디슨이 전구 실험 과정에서 ‘열전자 방출효과(에디슨 효과)’를 확인후 유리 진공관이 처음 개발되어 사용되었다. 그 이후 보다 많은 신호 처리를 할 수 있는 진공관을 대체할 수 있는 트랜지스터 개발을 위한 노력이 지속되던 중 1947년 벨 연구소의 바딘, 브래튼, 쇼클리에 의해 게르마늄 반도체 트랜지스터가 개발되었다. 이 성과로 이들은 1956년에 노벨상을 수상하였다. 이 게르마늄 반도체 트랜지스터는 진공관을 대체해 소형 라디오를 만들 수 있게 하고 전자산업을 혁명적으로 발전시켰으며, 컴퓨터, 정보통신 시대를 현실화 시켰다. 현대에는 전기를 사용하는 모든 장치의 알파에서 오메가까지 반.. 2022. 7. 17. 전력 반도체 기업 동향: SK실트론 1. 최근 동향 국내 유일한 반도체 웨이퍼 제조사 SK실트론이 차세대 전력반도체 소재인 ‘실리콘 카바이드(SiC)’ 웨이퍼 시장 개척에 속도를 내고 있다. 전기차 필수 부품인 차세대 전력 반도체 시장이 급성장하면서 주요 원자재인 SiC 웨이퍼 생산능력(CAPA) 확대에 적극적으로 나선 것이다. 지난해 증설 투자한 미국 신규 공장의 SiC 웨이퍼 생산 시점이 임박했다. 국내 구미공장에서도 하반기부터 SiC 웨이퍼를 양산한다. SK실트론은 향후 3년내 SiC 웨이퍼시장에서 최소 2위로 올라선다는 계획이다. 1일 반도체 업계에 따르면 SiC 웨이퍼를 생산하는 SK실트론의 손자회사 미국 SK실트론 CSS는 이달부터 미국 미시간주 베이시티 신공장에서 SiC 웨이퍼 제조를 위한 자재 생산을 시작했다. 7월부터는 S.. 2022. 6. 29. 전력 반도체 기업 동향: 아이에이 / 트리노테크놀로지 / 파워트론 1. 기업 개요 아이에이는 1993년에 설립된 회사로, 사업 초기에는 DMB 전용 칩 생산을 주력으로 했다. 2010년 이후 자동차용 반도체 사업에 진출하며 현재 전력모듈과 전력소자(Silicon/SIC)를 통한 매출을 만들어내고 있다. 현재는 반도체 칩 설계부터, 계열사 파워트론(8%)과 트리노테크놀로지(51%)를 통해 생산까지 확대하고 있으며 수주 증가에 따른 매출 확대로 2019년 영업이익 흑자전환 후 이익 증가하고 있다. 아이에이의 자회사 트리노테크놀로지는 2008년에 설립되었으며, 전력반도체 개발 및 생산 전문기업이다. 고속 스위칭 소자인 IGBT와 파워 모스펫(Mosfet), 다이오드(Diode) 등에 경쟁력을 지닌다. 가전제품과 전자제품 등을 비롯해 차량용 반도체 시장까지 역량을 넓히고 있다.. 2022. 6. 28. 이전 1 2 다음
