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반도체 기술 변화 짚어보기 - 8) 테스트: 반도체 회로 미세화로 고성능 검사 장비 및테스트용 부품 수요 증가 후공정은 전공정에서 제조된 웨이퍼를 검사하고 패키지하는 공정이다. 순서대로 공정을 나열하면① 웨이퍼의 특성을 측정하는 프로빙,② 웨이퍼의 뒷면을 갈아주는 백그라인드,③ 웨이퍼를 다이(칩) 단위로 절단하는 다이싱,④ 잘라낸 다이를 기판에 붙이는 다이본딩(또는 범퍼본딩),⑤ 리드프레임과 다이를 전기적으로 연결시켜주는 와이어본딩(또는 플립칩본딩),⑥ 칩을 수지 재질로 봉지해주는 몰딩⑦ 제품 패키지에 회사명과 제품명을 기입하는 마킹,⑧ 외부 프레임을 성형하는 리드포밍,⑨ 완성된 패키지를 테스트하는 파이널 테스트가 있다. 반도체 회로 미세화됨에 따라 고성능 검사 장비 및 테스트용 부품 수요가 증가할 것으로 전망된다.      테스트는 항목에 따라 온도, 속도, 동작 테스트로 나뉜다.  ① 온도 테스트는 고온, 저.. 2024. 9. 18.
반도체 기술 변화 짚어보기 - 7) 어닐링공정: 고유전율 절연막의 계면 전하 특성 개선 위한 저온 어닐링수요 증가 어닐링 장비 시장은 국산화율이 낮으나 High-K 유전막이 도입되면서 절연막의 개면 전하 특성 개선을 위한 저온 고압 수소 어닐링 장비가 주목 받고 있다. 현재 고압 수소(100%) 어닐링 장비를 생산 가능한 업체는 국내의 HPSP 가 유일하며 반도체 소자 집적도가 향상될수록 고압 수소 어닐링 장비 시장도 함께 성장할 것으로 전망된다.   (1) 어닐링 장비 트랜드 2021 년 기준, 어닐링 장비 시장 규모는 약 12 억달러이며 Applied Materials, Mattson, Veeco 가 91% 점유율을 차지하고 있다.  국내 업체로는 삼성전자의 비상장 자회사인 SEMES, 이오테크닉스, HPSP 가 있으나 글로벌 점유율은 미미한 수준이다.  반도체 제조 업체들의 CAPEX 가 개선되면서 어닐링 장비.. 2024. 9. 17.
반도체 기술 변화 짚어보기 - 6) 식각공정: 쿼츠, SiC, 코팅/세정, Si/SiGe 선택적 식각액 수요 증가 식각 장비 시장은 진입 장벽이 높아 국산화율이 낮으나 소재와 부품의 경우 상당 부분 국산화가 진행됐다. 또한 최근 반도체 회로 선폭이 좁아지고 적층수가 증가하면서 식각에 사용되는 플라즈마 노출도와 농도가 높아지고 있는 추세다. 플라즈마 노출도, 농도 증가에 따른 쿼츠 및 SiC 부품, 원가 절감 위한 코팅 및 세정, Si/SiGe 층 선택적 식각을 위한 식각액 수요 증가할 전망하는 바 국내 식각 소재와 부품 업체의 수혜가 기대된다.  (1) 식각 장비 트랜드  상위 3 개 업체 점유율 91% 2021 년 식각 장비 시장 규모는 약 200 억달러이며 Lam Research, TEL, Applied Materials 가 91%의 점유율을 차지하고 있다. 국내 업체로는 삼성전자의 비상장 자회사인 SEMES 가.. 2024. 9. 17.
반도체 기술 변화 짚어보기 - 5) EUV 채용 본격화에 따른 부품 수요 증가 포토리소그래피은 진입 장벽이 높아 장비, 소재, 부품 국산화율이 낮은 영역이다. 특히 7nm 이하 반도체부터 주로 사용되는 EUV 관련 장비, 소재, 부품 시장은 아직 개화되지 않은 시장이며 당사는 EUV 채용이 본격화되면서 관련 장비, 소재, 부품을 개발하고 있는 국내 업체들에 대해 주목할 필요가 있을 것으로 판단한다. (1) 장비의 시장 트랜드  트랙 장비는 TEL 점유율 88.9% 포토리소그래피 공정은 크게 코팅, 노광, 현상으로 나뉜다. 코팅과 현상은 한 장비에서 수행 가능하며 이러한 장비를 트랙(Track) 장비라고 부른다. 트랙 장비 시장 규모는 30~40 억달러 수준으로 일본 반도체 장비 업체인 TEL 이 90% 가까운 점유율을 차지하고 있다. 트랙 장비 생산 가능한 업체는 국내 업체는 삼성.. 2024. 9. 16.
반도체 기술 변화 짚어보기 - 4) 증착 공정의 변화: Epitaxy, High-K HKMG 와 GAAFET 상용화가 본격화됨에 따라 High-k, Si/SiGe 증착 장비와 전구체의 수요가 증가할 것으로 전망된다. HKMG 에서 High-k 유전막은 CVD 를 통해 형성되고 GAAFET 에서 Si/SiGe 층은 epitaxy 를 통해 성장된다. 당사는 High-k 와 Si/SiGe 소재에 대해 이해하기 위해 증착 방법 분류와 전구체에 대해 설명하고 어떤 국내 업체들이 수혜를 받을 수 있는지 알아보자.   (1) 증착 장비 시장 트랜드: 상위 3 개 업체 점유율 73.2%  증착 공정은 반도체 전공정에서 가장 큰 비중을 차지하는 공정 중 하나이며 장비 시장에서 가장 큰 규모를 가지고 있다. 증착 장비 시장은 2021 년 Applied Materials, Lam Research, TEL.. 2024. 9. 16.
반도체 기술 변화 짚어보기 - 3) NAND, 200 단을 넘는 양산 제품 NAND 구조: 실리콘 기판, 터널링 산화막, 트랩층, 블로킹 산화막, 컨트롤게이트 NAND 는 실리콘 기판, 터널링 산화막, 트랩층(혹은 플로팅게이트), 블로킹 산화막, 컨트롤 게이트로 구성되어 있다.  터널링 산화막은 실리콘 기판과 트랩층 사이에 있는 매우 얇은 산화막으로 게이트에 전압이 걸리면 실리콘 기판에 있는 전하가 뚫고 트랩층으로 들어갈 수 있다.  트랩층은 전하를 저장할 수 있는 레이어이며 6 면이 절연막으로 둘러 쌓인 구조다. 트랩층은 과거 플로팅게이트라고 불리는 도체(주로 폴리실리콘)를 사용했지만 2006 년부터는 집적화에 유리하고 전자 누설 위험이 낮은 부도체(주로 SiN)를 사용하기 시작했다.  블로킹 산화막은 트랩층에 갇힌 전하가 컨트롤 게이트로 들어오지 못 하게 막아주는 유전막(절.. 2024. 9. 16.

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